多晶硅检测

　　北京中科光析科学技术研究所可依据相应多晶硅检测标准通过质谱分析、四探针法、霍尔效应测量等各种方法进行分析测试服务，亦可根据客户需求设计方案，为客户提供非标检测服务。

服务项目

　　多晶硅检测项目一般包括：

　　- 组分分析：硅含量、杂质分析、掺杂元素分析等等。

　　- 结构表征：晶格结构分析、晶体缺陷分析、晶体形貌观察等。

　　- 电学性能：电阻率、载流子浓度、迁移率测量等。

　　- 光学特性：折射率测量、吸收谱分析、光致发光测定等。

　　- 热性能：热膨胀系数、热传导性能测试等。

　　- 机械性能：硬度、弯曲强度测量、断裂韧性测试等。

　　- 表面特性：表面粗糙度评估、界面分析、涂层检测等。

　　- 导电性能：电导率测量、电阻、接触电阻测试等。

试验范围

　　多晶硅晶圆、多晶硅片、多晶硅块、多晶硅粉末、多晶硅颗粒、多晶硅薄膜、多晶硅材料、多晶硅器件等。

　　- 多晶硅片：太阳能电池用、半导体材料用、光伏材料用多晶硅等。

　　- 多晶硅粉末：用于半导体材料、太阳能电池制造等领域的多晶硅粉末

　　- 多晶硅块：用于硅片生产、半导体制造等领域的多晶硅块

　　- 多晶硅棒：太阳能电池硅棒、半导体加工用多晶硅棒等。

多晶硅检测仪器

　　多晶硅检测方法及相关仪器：

　　- X射线衍射法(XRD)：用于晶体结构分析和杂质探测。

　　- 光致发光光谱法(PL)：通过激发样品的光致发光来研究其光电性能。

　　- 电学测试方法：包括四探针法、霍尔效应测量等，用于电学性能参数的测定。

　　- 热分析方法：如差热分析(DSC)、热膨胀仪等，用于热性能的测定。

　　- 光学测试方法：如紫外可见光谱仪、自动透射电镜等，用于光学特性的测定。

　　- 机械性能测试方法：如洛氏硬度计、万能试验机等，用于机械性能的测量。

　　- 表面分析方法：如原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)等，用于表面特性的观察和定量分析。

　　- 电导率测量方法：包括四探针法、两电极法等，用于导电性能的测定。

　　工程师会根据不同产品类型的特点、不同行业和不同国家的法规标准以及客户的需求，选取相应的检测项目和方法进行多晶硅检测。

相关标准

　　GB/T 2881-2014 工业硅

　　GB/T 12963-2022 电子级多晶硅

　　GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

　　GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

　　GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

　　GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅

　　GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

　　GB/T 28654-2018 工业三氯氢硅

　　GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片

　　GB/T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块

　　GB/T 24582-2009 酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

　　GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

　　GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

　　GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

　　GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法

　　GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法

　　GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法

我们的承诺

　　北京中科光析科学技术研究所承诺：我们将根据不同产品类型的特点，并结合不同行业和国家的法规标准，选择适当的检测项目和方法进行分析测试，或根据您的要求进行试验分析。为了不断改进我们的工作，我们致力于提高产品质控分析、使用性能检测能力，并持续加强我们团队的科研技术。同时，我们将积极跟进新的技术和标准，以最大程度地满足您的需求和市场要求。